Семинар по физике конденсированного состояния вещества

Московский Государственный Университет
Физический факультет

11 ноября 2015г.

 

Сергей Анатольевич Тарасенко

(Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург)

 

«Двумерные и трехмерные топологические изоляторы на основе структур HgTe/CdHgTe»

 

Аннотация

На поверхности кристалла или гетерогранице могут возникать локализованные состояния, обусловленные нарушением периодического потенциала.

Особый класс диэлектрических трехмерных (и двумерных) кристаллов, имеющих устойчивые к возмущениям проводящие поверхностные (краевые) состояния получили название топологических изоляторов.

 

В докладе дан краткий обзор современного состояния физики топологических изоляторов, представлены результаты наших исследований электронной структуры и фотогальванических эффектов в двумерных и трехмерных топологических изоляторах на основе гетероструктур HgTe/CdHgTe.

 

Обсуждаются эффекты, обусловленные отсутствием центра пространственной инверсии в гетероструктурах, в том числе связанные со смешиванием легких и тяжелых дырок на интерфейсах.

 

Извините, страница в разработке. YouTube видео скоро будет доступно

Скачать .webm

Скачать mp4