7 декабря 2016г

Леонид Викторович Бутов
(Университет Калифорнии Сан-Диего, США)
«Коллективные явления в холодных непрямых экситонах»

16 ноября 2016г.

Вадим Вениаминович Бражкин
(Институт физики высоких давлений РАН им. Л.Ф. Верещагина, Троицк)
«Два лика жидкости: между твердым телом и газом»

12 октября 2016г.

Вадим Сергеевич Храпай (Институт физики твердого тела РАН им. Ю.А. Осипьяна, Черноголовка; Московский физико-технический институт, Долгопрудный)
«Перенос заряда как случайный процесс»

21 сентября 2016г.

Михаил Михайлович Глазов
(Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург)
«Экситонные свойства двумерных полупроводников»

 7 сентября 2016г.

Ашот Суренович Маркосян
(Stanford University)
«Проект LIGO и его оптические компоненты: проблемы и перспективы»

11 мая 2016г.

Артем Ромаевич Оганов
(State University of New York at Stony Brook, Московский физико-технический институт)
«Компьютерный дизайн новых материалов»

9 декабря 2015г

Сергей Николаевич Молотков
(ИФТТ им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка; ВМК МГУ)
«Поверхностные состояния дираковских фермионов»

25 ноября 2015г.

Владимир Александрович Волков
(ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Москва)
«Поверхностные состояния дираковских фермионов»

11 ноября 2015г.

Сергей Анатольевич Тарасенко
(Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург)
«Двумерные и трехмерные топологические изоляторы на основе структур HgTe/CdHgTe»

30 сентября 2015г.

Эдуард Валентинович Девятов
(Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка)
«Транспорт между двумерным топологическим изолятором и металлом с макроскопическим параметром порядка (сверхпроводником или ферромагнетиком)»

20 мая 2015г.

Алексей Вольдемарович Кимель
(Radboud University, Institute for Molecules and Materials, Nijmegen, The Netherlands, Московский Государственный Технический Университет Радиотехники, Электроники и Автоматики, Москва, Россия)
«Фемтосекундный Опто-Магнетизм: от основ к сверхбыстрой магнито-фотонике и записи информации»

15 апреля 2015г.

Александр Васильевич Латышев (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск)
«Атомные процессы на поверхности кристалла»